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東華分析——DH7000電化學(xué)工作站控制電位EIS方法介紹

更新時(shí)間:2022-07-25    瀏覽量:2384

基本定義

對于一個(gè)穩(wěn)定的線性系統(tǒng)M,如以一個(gè)角頻率為ω的正弦波電壓信號X為激勵(lì)信號(亦稱作擾動(dòng)信號)輸入該測試體系,則相應(yīng)地從該系統(tǒng)輸出一個(gè)角頻率也是ω的正弦波電流信號Y,Y即是響應(yīng)信號。

一個(gè)電極體系在小幅度的擾動(dòng)信號作用下,各種動(dòng)力學(xué)過程的響應(yīng)與擾動(dòng)信號之間呈線性關(guān)系,可以把每個(gè)動(dòng)力學(xué)過程用電學(xué)上的一個(gè)線性元件或幾個(gè)線性元件的組合來表示。如電荷轉(zhuǎn)移過程可以用一個(gè)電阻來表示,雙電層充放電過程用一個(gè)電容的充放電過程來表示。這樣就把電化學(xué)動(dòng)力學(xué)過程用一個(gè)等效電路來描述,通過對電極系統(tǒng)的擾動(dòng)響應(yīng)求得等效電路各元件的數(shù)值,從而推斷電極體系的反應(yīng)機(jī)理。

激勵(lì)信號

基本信號特征

本實(shí)驗(yàn)方法是通過對測試體系施加正弦(ac)電壓信號,然后測量響應(yīng)電壓以及電壓和電流之間的相位漂移來獲得阻抗(Z)的一項(xiàng)技術(shù);該方法是從開始頻率到結(jié)束頻率點(diǎn)進(jìn)行一系列的阻抗測量。

圖片

控制電位EIS的激勵(lì)信號

關(guān)鍵參數(shù)及一般應(yīng)用范圍

【AC屬性】

  • 開始頻率范圍:10-5~106 Hz;截止頻率范圍:10-5~106 Hz;

  • 振幅(RMS):0.1mV~1V,結(jié)合具體體系以及儀器精度選擇合理的振幅。

【DC屬性】

  • Step or Scan:Step模式與Scan模式;

  • Step模式:電位--范圍-10~10V,vs. Ref/OC;一般為確保體系處于穩(wěn)態(tài)狀態(tài),可選擇0.0V vs. OC;

  • Scan模式:最初電位(-10~10V之間選擇),最終電位(-10~10V之間選擇),vs. Ref/OC;掃描速率(0~6000V/s),為確保體系處于穩(wěn)態(tài),掃描速率應(yīng)足夠慢。

【掃描屬性】

  • 點(diǎn)間距:對數(shù)/線性,工作站默認(rèn)為對數(shù);

  • 每十進(jìn)間距點(diǎn)數(shù):1~100,工作站默認(rèn)選10,表示每十進(jìn)位之間給出10個(gè)掃描頻率點(diǎn);

  • 數(shù)據(jù)質(zhì)量:是交流阻抗方法的一個(gè)變量。此變量所輸入的值與數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)平均有關(guān),用以提高數(shù)據(jù)質(zhì)量。此變量設(shè)置為3時(shí),表示采集三次循環(huán)的數(shù)據(jù)并將其平均的值作為結(jié)果。 注意:增加此變量將直接增加總實(shí)驗(yàn)時(shí)間,設(shè)置為3時(shí),其總時(shí)間為設(shè)置為1時(shí)的3倍。默認(rèn)值為1.

  • 數(shù)據(jù)延遲:范圍0~1000s,默認(rèn)值為0。

研究體系及實(shí)驗(yàn)曲線

紐扣電池(型號2032)

兩電極體系:WE-正極,RE+CE-負(fù)極。

參數(shù):

  • 起始頻率100KHz,截止頻率0.1Hz,振幅(RMS)0.01V;

  • step模式,0.0V vs. OC;

  • 點(diǎn)間距--對數(shù),每十進(jìn)間距點(diǎn)數(shù)--10,數(shù)據(jù)質(zhì)量--1,數(shù)據(jù)延遲--0;

  • 儀器屬性均為自動(dòng)。

圖片

紐扣電池的控制電位EIS譜圖

南孚無汞堿性電池(5號)

兩電極體系:WE-正極,RE+CE-負(fù)極。

參數(shù):

  • 開始頻率1KHz,結(jié)束頻率0.1Hz,振幅(RMS)0.01V;

  • step模式,0.0 V vs. OC;

  • 點(diǎn)間距--對數(shù),每十進(jìn)間距點(diǎn)數(shù)--10,數(shù)據(jù)質(zhì)量--1,數(shù)據(jù)延遲--0;

  • 儀器屬性均為自動(dòng)。

10 μL殼聚糖/多壁碳納米管修飾玻碳電極

三電極體系:WE-修飾玻碳電極,RE-SCE,CE-Pt。

電解質(zhì):1mM K3[Fe(CN)6]+1M KCl。

參數(shù):

  • 開始頻率10KHz,結(jié)束頻率0.1Hz,振幅(RMS)0.015V;

  • step模式,0.0V vs. OC;

  • 點(diǎn)間距--對數(shù),每十進(jìn)間距點(diǎn)數(shù)--10,數(shù)據(jù)質(zhì)量--1,數(shù)據(jù)延遲--0;

  • 儀器屬性均為自動(dòng)。

圖片

修飾電極的控制電位EIS譜圖

腐蝕體系

三電極體系:WE-Cu棒(腐蝕兩周),RE-SCE,CE-Pt。

電解質(zhì):3.5 wt% NaCl溶液。

參數(shù):

  • 開始頻率10KHz,結(jié)束頻率0.01Hz,振幅(RMS)0.015V;

  • step模式,0.0V vs. OC;

  • 點(diǎn)間距--對數(shù),每十進(jìn)間距點(diǎn)數(shù)--10,數(shù)據(jù)質(zhì)量--1,數(shù)據(jù)延遲--0;

  • 儀器屬性均為自動(dòng)。

圖片

腐蝕體系的控制電位EIS譜圖

其它應(yīng)用領(lǐng)域

控制電位EIS方法還可應(yīng)用于金屬材料腐蝕與防護(hù)研究方面,如金屬材料鈍化膜的形成與破壞的研究、金屬材料腐蝕的產(chǎn)物形成和腐蝕行為的研究等;在金屬聚合物復(fù)合材料方面研究的應(yīng)用,如研究有機(jī)涂層體系的降解失效過程、有機(jī)涂層的防腐蝕效果以及有機(jī)涂層中的離子擴(kuò)散等;在免疫生物傳感器、DNA生物傳感器、酶傳感器等方面的應(yīng)用。


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